Low

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN306P  MOSFET Transistor, P Channel, 2.6 A, -12 V, 0.03 ohm, -4.5 V, -600 mV

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN306P
Technical Data Sheet (215.63KB) EN Bekijk alle technische documenten

De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.

Productoverzicht

The FDN306P is a P-channel 1.8V specified MOSFET uses advanced low voltage PowerTrench® process. It has been optimized for battery power management applications.
  • Fast switching
  • High performance trench technology for extremely low RDS (ON)

Productgegevens

Transistor Polarity:
P Channel
Continuous Drain Current Id:
2.6A
Drain Source Voltage Vds:
-12V
On Resistance Rds(on):
0.03ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
-4.5V
Threshold Voltage Vgs:
-600mV
Power Dissipation Pd:
500mW
Transistor Case Style:
SuperSOT
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

Zoeken naar vergelijkbare producten  per overeenkomende kenmerken

Toepassingen

  • Power Management

Wetgeving en milieu

MSL-niveau voor vochtgevoeligheid:
MSL 1 - Unlimited
Land van oorsprong:
United States

Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd

RoHS-compliantie:
Ja
Tariefnummer:
85412900
Gewicht (kg):
.000036