Low

FDN306P - 

MOSFET Transistor, P Channel, 2.6 A, -12 V, 0.03 ohm, -4.5 V, -600 mV

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FDN306P

De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.

Artikelnr. fabrikant:
FDN306P
Ordercode:
2251962
Technische datasheet:
(EN)
Bekijk alle technische documenten

Productgegevens

:
500mW
:
150°C
:
2.6A
:
P Channel
:
3Pins
:
-600mV
:
-
:
-
:
-12V
:
-4.5V
:
SuperSOT
:
0.03ohm
:
MSL 1 - Unlimited
Zoeken naar vergelijkbare producten Kies en wijzig de bovenstaande eigenschappen om soortgelijke producten te zoeken.

Productoverzicht

The FDN306P is a P-channel 1.8V specified MOSFET uses advanced low voltage PowerTrench® process. It has been optimized for battery power management applications.
  • Fast switching
  • High performance trench technology for extremely low RDS (ON)

Toepassingen

Power Management