Low

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD2N100TM  Power MOSFET, N Channel, 1.6 A, 1 kV, 7.1 ohm, 10 V, 5 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD2N100TM
Technical Data Sheet (1.05MB) EN Bekijk alle technische documenten

De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.

Productoverzicht

The FQD2N100TM is a N-channel QFET® enhancement-mode power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.
  • Low gate charge (12nC)
  • Low Crss (5pF)
  • 100% avalanche tested

Productgegevens

Transistor Polarity:
N Channel
Continuous Drain Current Id:
1.6A
Drain Source Voltage Vds:
1kV
On Resistance Rds(on):
7.1ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
10V
Threshold Voltage Vgs:
5V
Power Dissipation Pd:
50W
Transistor Case Style:
TO-252
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

Zoeken naar vergelijkbare producten  per overeenkomende kenmerken

Toepassingen

  • Industrial;
  • Power Management;
  • Lighting

Wetgeving en milieu

MSL-niveau voor vochtgevoeligheid:
MSL 1 - Unlimited
Land van oorsprong:
South Korea

Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd

RoHS-compliantie:
Ja
Tariefnummer:
85412900
Gewicht (kg):
.099

Vergelijkbare producten