Low

INFINEON  IRF520NPBF  MOSFET Transistor, N Channel, 9.7 A, 100 V, 200 mohm, 10 V, 4 V

INFINEON IRF520NPBF
INFINEON IRF520NPBF
Technical Data Sheet (173.43KB) EN Bekijk alle technische documenten

De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.

INFINEON IRF520NPBF
INFINEON IRF520NPBF

Productoverzicht

The IRF520NPBF is a N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
  • Dynamic dv/dt rating
  • Fully avalanche rated
  • Advanced process technology

Productgegevens

Transistor Polarity:
N Channel
Continuous Drain Current Id:
9.7A
Drain Source Voltage Vds:
100V
On Resistance Rds(on):
0.2ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
10V
Threshold Voltage Vgs:
4V
Power Dissipation Pd:
47W
Transistor Case Style:
TO-220AB
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
175°C
Product Range:
-
MSL:
-
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

Zoeken naar vergelijkbare producten  per overeenkomende kenmerken

Toepassingen

  • Power Management

Wetgeving en milieu

MSL-niveau voor vochtgevoeligheid:
-
Land van oorsprong:
China

Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd

RoHS-compliantie:
Ja
Tariefnummer:
85412900
Gewicht (kg):
.002041

Alternatieven

MOSFET Transistor, N Channel, 18 A, 100 V, 72.5 mohm, 10 V, 5 V

INFINEON

57: 

Prijs voor: per stuk

1+ € 1,30 25+ € 0,956 100+ € 0,875 250+ € 0,763 meer...

Kopen

Gekoppelde producten

Vergelijkbare producten