Low

INFINEON  IRGP20B120UD-EP  IGBT Single Transistor, 40 A, 4.23 V, 300 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pins

INFINEON IRGP20B120UD-EP
Technical Data Sheet (132.81KB) EN Bekijk alle technische documenten

De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.

Productoverzicht

The IRGP20B120UD-EP is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. It features ultrafast non-punch through (NPT) technology and excellent current sharing in parallel operation. It is optimized for welding, UPS and induction heating applications.
  • Low diode VF (1.67V typical at 20A and 25°C)
  • Square RBSOA
  • Ultra-soft diode recovery characteristics
  • Positive VcE(m) temperature coefficient
  • Benchmark efficiency above 20kHz
  • Rugged with ultrafast performance
  • Low EMI
  • Significantly less snubber required
  • Excellent current sharing in parallel operation
  • Longer leads for easier mounting
  • 10µs Short-circuit capability

Productgegevens

DC Collector Current:
40A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):
4.23V
Power Dissipation Pd:
300W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo:
1.2kV
Transistor Case Style:
TO-247AD
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
-
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

Zoeken naar vergelijkbare producten  per overeenkomende kenmerken

Toepassingen

  • Maintenance & Repair;
  • Power Management;
  • HVAC;
  • Alternative Energy

Wetgeving en milieu

MSL-niveau voor vochtgevoeligheid:
-
Land van oorsprong:
Mexico

Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd

RoHS-compliantie:
Ja
Tariefnummer:
85412900
Gewicht (kg):
.00567

Gekoppelde producten

Vergelijkbare producten

Zoek producten die qua functionaliteit lijken op dit product. Selecteer een van de volgende koppelingen, waarna u naar een productgroeppagina gaat met alle producten in deze categorie die het vermelde kenmerk delen.