Low

INFINEON  IRGPS40B120UDP  IGBT Single Transistor, 80 A, 3.39 V, 595 W, 1.2 kV, TO-274AA, 3 Pins

INFINEON IRGPS40B120UDP
INFINEON IRGPS40B120UDP
Technical Data Sheet (133.75KB) EN Bekijk alle technische documenten

De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.

INFINEON IRGPS40B120UDP
INFINEON IRGPS40B120UDP

Productoverzicht

The IRGPS40B120UDP is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. It features ultra-soft diode reverse recovery characteristics and excellent current sharing in parallel operation.
  • Non-punch through IGBT technology
  • Low diode VF
  • Square RBSOA
  • Positive VCE (on) temperature coefficient
  • Rugged transient performance
  • Low EMI
  • Significantly less snubber required
  • 10µs Short-circuit capability

Productgegevens

DC Collector Current:
80A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):
3.39V
Power Dissipation Pd:
595W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo:
1.2kV
Transistor Case Style:
TO-274AA
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
-
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

Zoeken naar vergelijkbare producten  per overeenkomende kenmerken

Toepassingen

  • Alternative Energy;
  • Power Management;
  • Maintenance & Repair

Wetgeving en milieu

MSL-niveau voor vochtgevoeligheid:
-
Land van oorsprong:
Mexico

Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd

RoHS-compliantie:
Ja
Tariefnummer:
85412900
Gewicht (kg):

Gekoppelde producten

Vergelijkbare producten

Zoek producten die qua functionaliteit lijken op dit product. Selecteer een van de volgende koppelingen, waarna u naar een productgroeppagina gaat met alle producten in deze categorie die het vermelde kenmerk delen.