Low

NXP  PMZB670UPE  MOSFET Transistor, P Channel, -680 mA, -20 V, 0.67 ohm, -4.5 V, -900 mV

NXP PMZB670UPE
Technical Data Sheet (957.68KB) EN Bekijk alle technische documenten

De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.

Productoverzicht

The PMZB670UPE is a P-channel enhancement-mode FET in a leadless ultra-small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for use in relay driver, high-speed line driver, high-side load-switch and switching circuit applications.
  • Very fast switching
  • ESD protection up to 2kV
  • Low threshold voltage
  • Ultra-thin package profile of 0.37mm
  • -55 to 150°C Junction temperature range

Productgegevens

Transistor Polarity:
P Channel
Continuous Drain Current Id:
-680mA
Drain Source Voltage Vds:
-20V
On Resistance Rds(on):
0.67ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
-4.5V
Threshold Voltage Vgs:
-900mV
Power Dissipation Pd:
360mW
Transistor Case Style:
SOT-883
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

Zoeken naar vergelijkbare producten  per overeenkomende kenmerken

Toepassingen

  • Power Management;
  • Industrial

Wetgeving en milieu

MSL-niveau voor vochtgevoeligheid:
MSL 1 - Unlimited
Land van oorsprong:
China

Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd

RoHS-compliantie:
Ja
Tariefnummer:
85412900
Gewicht (kg):
.000272

Gekoppelde producten