Low

ON SEMICONDUCTOR  NID9N05ACLT4G  MOSFET Transistor, N Channel, 9 A, 55 V, 0.09 ohm, 12 V, 1.75 V

ON SEMICONDUCTOR NID9N05ACLT4G
Technical Data Sheet (117.91KB) EN Bekijk alle technische documenten

De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.

Productoverzicht

The NID9N05ACLT4G is a N-channel clamped Power MOSFET offers 52 to 59V drain source voltage and 9A continuous drain current.
  • High energy capability for inductive loads
  • Low switching noise generation
  • Diode clamp between gate and source
  • ESD protection - HBM 5000V
  • Active overvoltage gate to drain clamp
  • Scalable to lower or higher RDS (ON)
  • Internal series gate resistance
  • -55 to 175°C Operating temperature range

Productgegevens

Transistor Polarity:
N Channel
Continuous Drain Current Id:
9A
Drain Source Voltage Vds:
55V
On Resistance Rds(on):
0.09ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
12V
Threshold Voltage Vgs:
1.75V
Power Dissipation Pd:
1.74W
Transistor Case Style:
TO-252
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
175°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

Zoeken naar vergelijkbare producten  per overeenkomende kenmerken

Toepassingen

  • Automotive;
  • Motor Drive & Control;
  • Industrial;
  • Power Management

Wetgeving en milieu

MSL-niveau voor vochtgevoeligheid:
MSL 1 - Unlimited
Land van oorsprong:
China

Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd

RoHS-compliantie:
Ja
Tariefnummer:
85412900
Gewicht (kg):
.00033

Gekoppelde producten