Low

SEMIKRON  SKM100GB063D  IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 130 A, 2.1 V, 600 V, Module

SEMIKRON SKM100GB063D
Technical Data Sheet (838.83KB) EN Bekijk alle technische documenten

De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.

Productoverzicht

The SKM100GB063D is a SEMITRANS® 2 superfast NPT-IGBT Module for use with switching (not for linear use) and UPS. It features isolated copper bonding technology without hard mould and high short-circuit capability, self limiting if terminate G is clamped to E.
  • Half-bridge switch
  • N channel, homogeneous silicon structure (NPT- non punch through IGBT)
  • Low tail current with low temperature dependence
  • Latch-up free
  • Fast and soft inverse CAL diodes
  • Large clearance (10mm) and creepage distance (20mm)

Productgegevens

Transistor Polarity:
Dual N Channel
DC Collector Current:
130A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):
2.1V
Power Dissipation Pd:
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo:
600V
Transistor Case Style:
Module
No. of Pins:
7Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

Zoeken naar vergelijkbare producten  per overeenkomende kenmerken

Toepassingen

  • Power Management;
  • Motor Drive & Control

Wetgeving en milieu

Land van oorsprong:
Slovak Republic

Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd

RoHS-compliantie:
Ja
Tariefnummer:
85412900
Gewicht (kg):
.18

Vergelijkbare producten

Zoek producten die qua functionaliteit lijken op dit product. Selecteer een van de volgende koppelingen, waarna u naar een productgroeppagina gaat met alle producten in deze categorie die het vermelde kenmerk delen.