Low

VISHAY  SI1013R-T1-GE3  MOSFET, P CHANNEL, -20V, -350mA, SOT-416-3

VISHAY SI1013R-T1-GE3
Technical Data Sheet (148.67KB) EN Bekijk alle technische documenten

De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.

Productgegevens

Transistor Polarity:
P Channel
Continuous Drain Current Id:
-350mA
Drain Source Voltage Vds:
-20V
On Resistance Rds(on):
1.8ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
-1.8V
Threshold Voltage Vgs:
800mV
Power Dissipation Pd:
150mW
Transistor Case Style:
SOT-416
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
To Be Advised

Zoeken naar vergelijkbare producten  per overeenkomende kenmerken

Wetgeving en milieu

MSL-niveau voor vochtgevoeligheid:
MSL 1 - Unlimited
Land van oorsprong:
China

Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd

Producttraceerbaarheid
RoHS-compliantie:
Ja
Tariefnummer:
85412100
Gewicht (kg):
0

Gekoppelde producten