Low

VISHAY  SI5513DC-T1-E3  Dual MOSFET, N and P Channel, 4.2 A, 20 V, 0.065 ohm, 4.5 V, 1.5 V

VISHAY SI5513DC-T1-E3
Technical Data Sheet (246.57KB) EN Bekijk alle technische documenten

De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.

Productgegevens

Transistor Polarity:
N and P Channel
Continuous Drain Current Id:
4.2A
Drain Source Voltage Vds:
20V
On Resistance Rds(on):
0.065ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
4.5V
Threshold Voltage Vgs:
1.5V
Power Dissipation Pd:
1.1W
Transistor Case Style:
1206
No. of Pins:
8Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

Zoeken naar vergelijkbare producten  per overeenkomende kenmerken

Wetgeving en milieu

MSL-niveau voor vochtgevoeligheid:
MSL 1 - Unlimited
Land van oorsprong:
China

Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd

RoHS-compliantie:
Ja
Tariefnummer:
85412900
Gewicht (kg):
.14

Vergelijkbare producten