Low

VISHAY  SIA511DJ-T1-GE3  Dual MOSFET, N and P Channel, 4.5 A, 12 V, 0.033 ohm, 4.5 V, 1 V

VISHAY SIA511DJ-T1-GE3
Technical Data Sheet (133.09KB) EN Bekijk alle technische documenten

De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.

Productgegevens

Transistor Polarity:
N and P Channel
Continuous Drain Current Id:
4.5A
Drain Source Voltage Vds:
12V
On Resistance Rds(on):
0.033ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
4.5V
Threshold Voltage Vgs:
1V
Power Dissipation Pd:
6.5W
Transistor Case Style:
PowerPAK SC70
No. of Pins:
6Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
To Be Advised

Zoeken naar vergelijkbare producten  per overeenkomende kenmerken

Wetgeving en milieu

MSL-niveau voor vochtgevoeligheid:
MSL 1 - Unlimited
Land van oorsprong:
China

Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd

RoHS-compliantie:
Ja
Tariefnummer:
85412900
Gewicht (kg):
.001