Low

VISHAY  SIHA12N60E-E3  Power MOSFET, N Channel, 12 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 4 V

VISHAY SIHA12N60E-E3
Technical Data Sheet (167.09KB) EN Bekijk alle technische documenten

De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.

Productoverzicht

The SIHA12N60E-E3 is a 650V N-channel enhancement-mode Power MOSFET with single configuration. It is suitable for SMPS, PFC power supplies, adaptors, TV, game console and ATX power supply applications.
  • Low figure-of-merit(FOM) RON x Qg
  • Low input capacitance (CISS)
  • Reduced switching and conduction losses
  • Ultra low gate charge
  • Avalanche energy rated

Productgegevens

Transistor Polarity:
N Channel
Continuous Drain Current Id:
12A
Drain Source Voltage Vds:
600V
On Resistance Rds(on):
0.32ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
10V
Threshold Voltage Vgs:
4V
Power Dissipation Pd:
33W
Transistor Case Style:
TO-220F
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
To Be Advised

Zoeken naar vergelijkbare producten  per overeenkomende kenmerken

Toepassingen

  • Industrial;
  • Power Management;
  • Communications & Networking;
  • Lighting;
  • Consumer Electronics;
  • Computers & Computer Peripherals

Wetgeving en milieu

MSL-niveau voor vochtgevoeligheid:
MSL 1 - Unlimited
Land van oorsprong:
China

Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd

RoHS-compliantie:
Ja
Tariefnummer:
85412900
Gewicht (kg):
.0004

Alternatieven

Power MOSFET, N Channel, 11 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V

INFINEON

218 Op voorraad

Prijs voor: per stuk

1+ € 2,65 25+ € 2,33 100+ € 1,68 300+ € 1,50 meer...

Kopen

Vergelijkbare producten