Low

VISHAY  SIR804DP-T1-GE3  MOSFET Transistor, N Channel, 60 A, 100 V, 0.0059 ohm, 10 V, 1.2 V

VISHAY SIR804DP-T1-GE3
Technical Data Sheet (329.28KB) EN Bekijk alle technische documenten

De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.

Productoverzicht

The SIR804DP-T1-GE3 is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for DC-to-DC converter, fixed telecom and primary side switch applications.
  • 100% Rg tested
  • 100% UIS tested
  • Halogen-free
  • -55 to 150°C Operating temperature range

Productgegevens

Transistor Polarity:
N Channel
Continuous Drain Current Id:
60A
Drain Source Voltage Vds:
100V
On Resistance Rds(on):
0.0059ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
10V
Threshold Voltage Vgs:
1.2V
Power Dissipation Pd:
104W
Transistor Case Style:
PowerPAK SO
No. of Pins:
8Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
To Be Advised

Zoeken naar vergelijkbare producten  per overeenkomende kenmerken

Toepassingen

  • Industrial;
  • Power Management;
  • Communications & Networking

Wetgeving en milieu

MSL-niveau voor vochtgevoeligheid:
MSL 1 - Unlimited
Land van oorsprong:
China

Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd

RoHS-compliantie:
Ja
Tariefnummer:
85412900
Gewicht (kg):
.002

Alternatieven

MOSFET Transistor, N Channel, 60 A, 100 V, 0.0055 ohm, 10 V, 1.5 V

VISHAY

Wachten op levering (Beschikbaar voor nalevering met de aangegeven levertijden)

Prijs voor: TAPE EN REEL, AFGESNEDEN

1+ € 1,77 25+ € 1,43 100+ € 1,25 250+ € 1,08 meer...

Kopen

Gekoppelde producten