Low

VISHAY  SIR890DP-T1-GE3  N CHANNEL MOSFET, 20V, 50A, SOIC, FULL REEL

VISHAY SIR890DP-T1-GE3
Technical Data Sheet (337.92KB) EN Bekijk alle technische documenten

De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.

Productgegevens

Transistor Polarity:
N Channel
Continuous Drain Current Id:
50A
Drain Source Voltage Vds:
20V
On Resistance Rds(on):
0.0023ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
20V
Threshold Voltage Vgs:
2.6V
Power Dissipation Pd:
5W
Transistor Case Style:
SOIC
No. of Pins:
8Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
To Be Advised

Zoeken naar vergelijkbare producten  per overeenkomende kenmerken

Wetgeving en milieu

MSL-niveau voor vochtgevoeligheid:
MSL 1 - Unlimited
Land van oorsprong:
Singapore

Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd

RoHS-compliantie:
Ja
Tariefnummer:
0
Gewicht (kg):
0