Low

VISHAY  SIZ340DT-T1-GE3  Dual MOSFET, Dual N Channel, 40 A, 30 V, 0.0042 ohm, 10 V, 2.4 V

VISHAY SIZ340DT-T1-GE3
Technical Data Sheet (362.83KB) EN Bekijk alle technische documenten

De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.

Productoverzicht

The SIZ340DT-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for synchronous buck battery charging and graphic cards, POL applications.
  • Halogen-free
  • TrenchFET® power MOSFET
  • 100% Rg and UIS tested

Productgegevens

Transistor Polarity:
Dual N Channel
Continuous Drain Current Id:
40A
Drain Source Voltage Vds:
30V
On Resistance Rds(on):
0.0042ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
10V
Threshold Voltage Vgs:
2.4V
Power Dissipation Pd:
31W
Transistor Case Style:
PowerPAIR
No. of Pins:
8Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
To Be Advised

Zoeken naar vergelijkbare producten  per overeenkomende kenmerken

Toepassingen

  • Industrial;
  • Power Management;
  • Computers & Computer Peripherals

Wetgeving en milieu

MSL-niveau voor vochtgevoeligheid:
MSL 1 - Unlimited
Land van oorsprong:
Taiwan

Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd

RoHS-compliantie:
Ja
Tariefnummer:
85412900
Gewicht (kg):
.00033