Low

VISHAY  VSMY7850X01-GS08  Infrared Emitter, High Power, 120 °, SMD, 1 A, 2.5 V, 20 ns, 20 ns

VISHAY VSMY7850X01-GS08
Technical Data Sheet (171.52KB) EN Bekijk alle technische documenten

De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.

Productoverzicht

The VSMY7850X01-GS08 is a 850nm Infrared Emitting Diode based on surface emitter technology with high radiant power and high speed. A 42mil chip provides outstanding low forward voltage and allows DC operation of the device up to 1A. It has the floor life of 1 year, MSL 2, according to J-STD-020.
  • High reliability
  • High radiant power
  • High radiant intensity
  • Low forward voltage
  • AEC-Q101 qualified
  • ±60° Angle of half intensity

Productgegevens

Viewing Angle:
120°
Diode Case Style:
SMD
Forward Current If(AV):
1A
Forward Voltage VF Max:
2.5V
Rise Time:
20ns
Fall Time tf:
20ns
Operating Temperature Min:
-40°C
Operating Temperature Max:
100°C
Packaging:
Cut Tape
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
AEC-Q100
MSL:
-
SVHC:
To Be Advised

Zoeken naar vergelijkbare producten  per overeenkomende kenmerken

Toepassingen

  • Consumer Electronics;
  • Communications & Networking;
  • Automotive

Wetgeving en milieu

MSL-niveau voor vochtgevoeligheid:
-
Land van oorsprong:
Malaysia

Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd

RoHS-compliantie:
Ja
Tariefnummer:
85411000
Gewicht (kg):
.000188

Gekoppelde producten

Vergelijkbare producten

Zoek producten die qua functionaliteit lijken op dit product. Selecteer een van de volgende koppelingen, waarna u naar een productgroeppagina gaat met alle producten in deze categorie die het vermelde kenmerk delen.