Pagina afdrukken
FS03MR12A6MA1BBPSA1
Silicon Carbide MOSFET, SixPack, Six N Channel, 400 A, 1.2 kV, 2750 µohm, Module
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantFS03MR12A6MA1BBPSA1
Ordercode3773234
ProductreeksHybridPACK CoolSiC
Ook bekend alsSP001720764, FS03MR12A6MA1B
Technische datasheet
10 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel vóór 17:00
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van € 0,00 en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | € 1.917,000 |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
€ 1.917,00 (excl. BTW)
Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantFS03MR12A6MA1BBPSA1
Ordercode3773234
ProductreeksHybridPACK CoolSiC
Ook bekend alsSP001720764, FS03MR12A6MA1B
Technische datasheet
MOSFET Module ConfigurationSixPack
Channel TypeSix N Channel
Continuous Drain Current Id400A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance2750µohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins32Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHybridPACK CoolSiC
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Productoverzicht
FS03MR12A6MA1BBPSA1 is a HybridPACK™ Drive module with CoolSiC™ automotive MOSFET. It is designed for demanding applications such as automotive applications, hybrid electrical vehicles (H)EV, motor drives and commercial agriculture vehicles.
- VDSS 1200V for high-voltage applications
- Nominal drain current ID 400A
- Silicon Carbide (SiC) semiconductor for high efficiency
- Low RDS(on) minimizes conduction losses, low switching losses for faster operation
- 4.2kV DC 1sec insulation
- Low gate charge (Qg) and Crss for efficient switching
- Low inductive design less than 10nH reduces overshoot
- Operating junction temperature up to 150°C
- Compact, high-power-density design with direct-cooled PinFin base plate
- Integrated NTC sensor, PressFIT contacts
Technische specificaties
MOSFET Module Configuration
SixPack
Continuous Drain Current Id
400A
Drain Source On State Resistance
2750µohm
No. of Pins
32Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.4V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
Six N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
-
Product Range
HybridPACK CoolSiC
Technische documenten (1)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Hungary
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Hungary
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.453592
Producttraceerbaarheid