Pagina afdrukken
IRF2804STRL7PP
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 160 A, 1600 µohm, TO-263AB, Surface Mount
535 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel vóór 17:00
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van € 0,00 en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
Beschikbaar tot einde voorraad
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | € 3,460 |
| 10+ | € 2,530 |
| 100+ | € 1,870 |
| 500+ | € 1,600 |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Meerdere: 1
€ 3,46 (excl. BTW)
Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantIRF2804STRL7PP
Ordercode2725882
ProductreeksHEXFET
Ook bekend alsSP001564218
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id160A
Drain Source On State Resistance1600µohm
Transistor Case StyleTO-263AB
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation330W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Alternatieven voor IRF2804STRL7PP
1 product gevonden
Productoverzicht
- Single N-channel HEXFET® power MOSFET
- Advanced process technology
- Ultra low on-resistance
- Fast switching
- Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
- Optimized for broadest availability from distribution partners
- Product qualification according to JEDEC standard
- Industry standard surface-mount power package
- Higher current-rating (by 23%) vs D2PAK (of same die-size)
- High-current carrying capability package (up to 240A, die-size dependent)
Waarschuwingen
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
160A
Transistor Case Style
TO-263AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
330W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
1600µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
7Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technische documenten (3)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Mexico
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Mexico
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.001
Producttraceerbaarheid