Pagina afdrukken
BS170
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-92, Through Hole
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
26.682 Op Voorraad
70.000 U kunt nu voorraad reserveren
Levering de volgende werkdag
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 5+ | € 0,288 |
| 10+ | € 0,197 |
| 100+ | € 0,102 |
| 500+ | € 0,0924 |
| 1000+ | € 0,0795 |
| 5000+ | € 0,0775 |
Prijs voor:Each
Minimum: 5
Meerdere: 5
€ 1,44 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantBS170
Ordercode1017687
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id500mA
Drain Source On State Resistance1.2ohm
Transistor Case StyleTO-92
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.1V
Power Dissipation830mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Productoverzicht
The BS170 is a N-channel enhancement mode Field Effect Transistor is produced using high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance while provide rugged, reliable and fast switching performance. It can be used in most applications requiring up to 500mA DC. It is also suitable for low voltage, low current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers and other switching applications.
- Voltage controlled small signal switch
- Rugged and reliable
- High saturation current capability
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
500mA
Transistor Case Style
TO-92
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
830mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
1.2ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2.1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technische documenten (2)
Alternatieven voor BS170
4 gevonden producten
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.0002
Producttraceerbaarheid