Pagina afdrukken
FCPF11N60
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 11 A, 0.32 ohm, TO-220F, Through Hole
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
760 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering de volgende werkdag
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | € 2,610 |
| 10+ | € 2,550 |
| 100+ | € 1,600 |
| 500+ | € 1,480 |
| 1000+ | € 1,410 |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
€ 2,61 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantFCPF11N60
Ordercode1095007
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id11A
Drain Source On State Resistance0.32ohm
Transistor Case StyleTO-220F
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation36W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Productoverzicht
The FCPF11N60 is a 600V N-channel SuperFET® high voltage super-junction MOSFET utilizes charge balance technology for outstanding low ON-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dV/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications.
- Ultra low gate charge (Qg = 40nC)
- Low effective output capacitance (Coss.eff = 95pF)
- 100% avalanche tested
Toepassingen
Industrial, Power Management, Communications & Networking, Lighting
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
11A
Transistor Case Style
TO-220F
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
36W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.32ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Y-Ex
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.002105
Producttraceerbaarheid