Pagina afdrukken
CSD88537NDT
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 15 A, 15 A, 0.0125 ohm
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
Verpakkingsopties
49 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering de volgende werkdag
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | € 1,870 |
| 10+ | € 1,320 |
| 100+ | € 0,915 |
| 500+ | € 0,847 |
| 1000+ | € 0,778 |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Meerdere: 1
€ 1,87 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantTEXAS INSTRUMENTS
Artikelnr. fabrikantCSD88537NDT
Ordercode3125082
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel15A
Continuous Drain Current Id P Channel15A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0125ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0125ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2.1W
Power Dissipation P Channel2.1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Productoverzicht
The CSD88537NDT is a NexFET™ dual N-channel Power MOSFET designed to serve as a half bridge in low current motor control applications.
- Ultra-low Qg and Qgd
- Avalanche rated
- Halogen-free
Toepassingen
Industrial, Motor Drive & Control, Power Management
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
15A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0125ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2.1W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
15A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0125ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Philippines
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Philippines
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.001