Pagina afdrukken
IXFN200N10P
MOSFET Transistor, PolarFET, N Channel, 200 A, 100 V, 0.0075 ohm, 15 V, 5 V
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
FabrikantIXYS SEMICONDUCTOR
Artikelnr. fabrikantIXFN200N10P
Ordercode1427322
ProductreeksPolar(TM) HiPerFET
Technische datasheet
198 Op Voorraad
300 U kunt nu voorraad reserveren
Levering de volgende werkdag
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | € 27,100 |
| 5+ | € 23,470 |
| 10+ | € 19,840 |
| 50+ | € 19,160 |
| 100+ | € 18,470 |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
€ 27,10 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantIXYS SEMICONDUCTOR
Artikelnr. fabrikantIXFN200N10P
Ordercode1427322
ProductreeksPolar(TM) HiPerFET
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id200A
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source On State Resistance0.0075ohm
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation680W
Operating Temperature Max175°C
Product RangePolar(TM) HiPerFET
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Productoverzicht
The IXFN200N10P is a N-channel enhancement mode Power MOSFET features miniBLOC with aluminium nitride isolation, low RDS (on) HDMOSTM process, rugged polysilicon gate cell structure and unclamped inductive switching (UIS) rated.
- Fast intrinsic rectifier
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Encapsulating epoxy meets UL94V-0, flammability classification
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Easy to mount
- High power density
- Space savings
Toepassingen
Power Management, Lighting
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
680W
Product Range
Polar(TM) HiPerFET
Continuous Drain Current Id
200A
Drain Source On State Resistance
0.0075ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Germany
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Germany
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.03
Producttraceerbaarheid