Pagina afdrukken
BSN20-7
Power MOSFET, N Channel, 50 V, 500 mA, 1.8 ohm, SOT-23, Surface Mount
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
14.130 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
.
.
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van € 0,00 en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 5+ | € 0,300 |
| 50+ | € 0,191 |
| 100+ | € 0,121 |
| 500+ | € 0,0858 |
| 1500+ | € 0,0738 |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Meerdere: 5
€ 1,50 (excl. BTW)
Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantDIODES INC.
Artikelnr. fabrikantBSN20-7
Ordercode3127240
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds50V
Continuous Drain Current Id500mA
Drain Source On State Resistance1.8ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation600mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Productoverzicht
BSN20-7 is a N-channel enhancement mode field MOSFET. This new generation MOSFET has been designed to minimize the onstate resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Typical applications include backlighting, DC-DC converters, power management functions.
- Low on-resistance, low input capacitance
- Fast switching speed, low input/output leakage
- Drain-source voltage is 50V at TA=+25°C
- Gate-source voltage is ±20V at TA=+25°C
- Continuous drain current is 500mA at TA=+25°C, steady state, TSP=+25°C
- Pulsed drain current at TSP=+25°C, TA=+25°C is 1.2A
- Power dissipation at TA=+25°C is 600mW
- Static drain-source on-resistance is 1.3ohm typ at VGS=10V, ID=0.22A, TA=+25°C
- SOT23 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
500mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
600mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
50V
Drain Source On State Resistance
1.8ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Technische documenten (2)
Alternatieven voor BSN20-7
1 product gevonden
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000005
Producttraceerbaarheid