Pagina afdrukken
ZTX694B
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 120 V, 500 mA, 1 W, E-Line, Through Hole
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
621 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering de volgende werkdag
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | € 1,360 |
| 10+ | € 0,861 |
| 100+ | € 0,571 |
| 500+ | € 0,455 |
| 1000+ | € 0,409 |
| 5000+ | € 0,358 |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
€ 1,36 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantDIODES INC.
Artikelnr. fabrikantZTX694B
Ordercode9525610
Technische datasheet
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max120V
Continuous Collector Current500mA
Power Dissipation1W
Transistor Case StyleE-Line
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency130MHz
DC Current Gain hFE Min500hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Productoverzicht
The ZTX694B is a NPN silicon planar medium power high gain Bipolar Transistor offers 0.5A continuous collector current and 120V collector-base voltage. It is suitable for Darlington replacement, relay/solenoid driver, battery powered circuits and motor drivers applications.
- Gain of 400 @ IC = 200mA
- Very low saturation voltage
- -55 to 200°C Operating temperature range
Toepassingen
Power Management, Motor Drive & Control, Computers & Computer Peripherals, Industrial
Waarschuwingen
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische specificaties
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
500mA
Transistor Case Style
E-Line
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
500hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
120V
Power Dissipation
1W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
130MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische documenten (3)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000174
Producttraceerbaarheid