Pagina afdrukken
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
480.332 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering de volgende werkdag
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
Hoeveelheid | |
---|---|
5+ | € 0,639 |
10+ | € 0,363 |
100+ | € 0,282 |
500+ | € 0,208 |
1000+ | € 0,199 |
5000+ | € 0,158 |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Meerdere: 5
€ 3,20 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantDIODES INC.
Artikelnr. fabrikantZXMN6A07FTA
Ordercode9525769
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id1.4A
Drain Source On State Resistance0.25ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation806mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Productoverzicht
ZXMN6A07FTA is a N-channel enhancement mode MOSFET. This MOSFET utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with a fast switching speed, making it ideal for high-efficiency power-management applications. Typical applications include DC-DC converters, power-management functions, relay and solenoid driving, motor controls.
- Low on-resistance, fast switching speed
- Low gate charge, low threshold
- Drain-source voltage is 60V at TA=+25°C
- Gate-source voltage is ±20V
- Continuous drain current is 1.4A at VGS = 10V, TA = +25°C
- Pulsed drain current is 6.9A at TA = +25°C
- Continuous source current (body diode) is 1A at TA = +25°C
- Pulsed source current (body diode) is 6.9A at TA=+25°C
- SOT23 package
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.4A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
806mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.25ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Technische documenten (2)
Alternatieven voor ZXMN6A07FTA
2 gevonden producten
Aanverwante producten
2 gevonden producten
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000033