Pagina afdrukken
FDN337N
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Surface Mount
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
20.630 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering de volgende werkdag
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 5+ | € 0,635 |
| 50+ | € 0,458 |
| 100+ | € 0,316 |
| 500+ | € 0,249 |
| 1500+ | € 0,222 |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Meerdere: 5
€ 3,18 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantFDN337N
Ordercode9845356
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id2.2A
Drain Source On State Resistance0.065ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max700mV
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Productoverzicht
The FDN337N is N channel logic level enhancement mode power field effect transistor in superSOT-3 package. This transistor is produced using high cell density, DMOS technology, very high density process is especially tailored to minimize on state resistance, thus suite for low voltage applications in notebook computers, portable phones, PCMCIA cards and other battery powered circuits where fast switching and low inline power loss are needed in a very small outline surface mount package.
- High density cell design for extremely low Rds(on)
- Exceptional on resistance and maximum DC current capability
- Drain to source voltage (Vds) of 30V
- Gate to source voltage of ±8V
- Low on state resistance of 65mohm at Vgs 4.5V
- Continuous drain current of 2.2A
- Maximum power dissipation of 500mW
- Operating junction temperature range from -55°C to 150°C
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.2A
Transistor Case Style
SuperSOT
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.065ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
700mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technische documenten (2)
Alternatieven voor FDN337N
2 gevonden producten
Aanverwante producten
8 gevonden producten
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Philippines
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Philippines
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000033
Producttraceerbaarheid