Pagina afdrukken
BGA855N6E6327XTSA1
RF Amplifier, 1.164GHz to 1.3GHz, 17.8dB Gain, 0.6dB Noise, 1.1V to 3.3V, TSNP-6
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantBGA855N6E6327XTSA1
Ordercode3021690RL
Ook bekend alsBGA 855N6 E6327, SP002337750
Technische datasheet
92 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering de volgende werkdag
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 100+ | € 0,297 |
| 500+ | € 0,269 |
| 1000+ | € 0,261 |
| 2500+ | € 0,256 |
| 5000+ | € 0,251 |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Meerdere: 1
€ 34,70 (excl. BTW)
Voor dit product wordt een re-reeling kost toegevoegd van € 5,00
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantBGA855N6E6327XTSA1
Ordercode3021690RL
Ook bekend alsBGA 855N6 E6327, SP002337750
Technische datasheet
Frequency Min1.164GHz
Frequency Max1.3GHz
Gain17.8dB
Noise Figure Typ0.6dB
RF IC Case StyleTSNP
No. of Pins6Pins
Supply Voltage Min1.1V
Supply Voltage Max3.3V
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Productoverzicht
BGA855N6E6327XTSA1 is a low-noise amplifier for lower L-band GNSS applications. It is designed to enhance GNSS signal sensitivity for band L2/L5, especially for very high accuracy. Besides GPS L5 and L2, the GNSS LNA also covers Galileo E5a, E5b, E6, Glonass G3, G2 and Beidou B3 and B2 bands. The high linearity performance of BGA855N6 ensures the best sensitivity for the operation in 4G and 5G NSA configurations. OFF-state can be enabled by PON pin.
- Qualified for industrial applications according to the relevant tests of JEDEC47/20/22
- Operating frequency range from 1164 to 1300MHz
- B9HF silicon germanium technology, 2kV HBM ESD protection (including AI-pin)
- RF output internally matched to 50 ohm
- Only one external matching component needed
- Supply voltage range from 1.1 to 3.3V at TA=25°C, VCC=1.2V, VPON=1.2V, f=1164 - 1300MHz
- Supply current is 4.4mA typ at ON-mode, TA=25°C, VCC=1.2V, VPON=1.2V, f=1164 - 1300MHz
- Insertion power gain is 17.6dB typ at f=1214MHz, TA=25°C, VCC=1.2V, VPON=1.2V
- Ultra small TSNP-6-10 leadless package
- Ambient temperature range from -40 to 85°C
Waarschuwingen
Stresses above the maximum values listed here may cause permanent damage to the device.
Technische specificaties
Frequency Min
1.164GHz
Gain
17.8dB
RF IC Case Style
TSNP
Supply Voltage Min
1.1V
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Frequency Max
1.3GHz
Noise Figure Typ
0.6dB
No. of Pins
6Pins
Supply Voltage Max
3.3V
Operating Temperature Max
85°C
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Technische documenten (1)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000008