Pagina afdrukken
BSC077N12NS3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 120 V, 98 A, 0.0066 ohm, TDSON, Surface Mount
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantBSC077N12NS3GATMA1
Ordercode2432710
Ook bekend alsBSC077N12NS3 G, SP000652750
Technische datasheet
31.413 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering de volgende werkdag
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | € 1,870 |
| 10+ | € 1,540 |
| 100+ | € 1,340 |
| 500+ | € 1,210 |
| 1000+ | € 1,070 |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Meerdere: 1
€ 1,87 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantBSC077N12NS3GATMA1
Ordercode2432710
Ook bekend alsBSC077N12NS3 G, SP000652750
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds120V
Continuous Drain Current Id98A
Drain Source On State Resistance0.0066ohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation139W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Productoverzicht
The BSC077N12NS3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET offers at the same time the lowest ON-state resistances of the industry and the fastest switching behaviour, allowing for the achievement of outstanding performance in a wide range of applications. The 120V OptiMOS™ technology gives new possibilities for optimized solutions.
- Excellent switching performance
- World's lowest RDS (ON)
- Very low Qg and Qgd
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- MSL1 rated 2
- Environmentally friendly
- Increased efficiency
- Highest power density
- Less paralleling required
- Smallest board-space consumption
- Easy-to-design products
- Qualified according to JEDE for target applications
- Halogen-free, Green device
- Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification
- Normal level
Toepassingen
Power Management, Motor Drive & Control, Computers & Computer Peripherals, Portable Devices, LED Lighting
Waarschuwingen
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
98A
Transistor Case Style
TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
139W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
120V
Drain Source On State Resistance
0.0066ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000156
Producttraceerbaarheid