Pagina afdrukken
BSC093N04LSGATMA1
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 49 A, 0.0093 ohm, PG-TDSON, Surface Mount
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantBSC093N04LSGATMA1
Ordercode1775460
ProductreeksOptiMOS 3 Series
Ook bekend alsBSC093N04LS G, SP000387929
Technische datasheet
71.585 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering de volgende werkdag
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | € 0,619 |
| 10+ | € 0,432 |
| 100+ | € 0,374 |
| 500+ | € 0,288 |
| 1000+ | € 0,228 |
| 5000+ | € 0,200 |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Meerdere: 1
€ 0,62 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantBSC093N04LSGATMA1
Ordercode1775460
ProductreeksOptiMOS 3 Series
Ook bekend alsBSC093N04LS G, SP000387929
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id49A
Drain Source On State Resistance0.0093ohm
Transistor Case StylePG-TDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation35W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS 3 Series
Qualification-
MSL-
Productoverzicht
The BSC093N04LS G is a 60V N-channel Power MOSFET optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers, desktops and tablet charger. Dramatically reduced gate charge and output charge enable high system efficiency and power density. The OptiMOS™ power MOSFET is ideally suited for high frequency switching and DC-DC converters.
- Highest system efficiency
- Less paralleling required
- Increased power density
- Saving space
- Very low voltage overshoot
- Superior thermal resistance
Toepassingen
Power Management, Motor Drive & Control, Industrial
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
49A
Transistor Case Style
PG-TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
35W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0093ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS 3 Series
MSL
-
Technische documenten (1)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000363
Producttraceerbaarheid