Pagina afdrukken
BSZ067N06LS3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 20 A, 0.0067 ohm, PG-TSDSON, Surface Mount
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantBSZ067N06LS3GATMA1
Ordercode2212830
Ook bekend alsBSZ067N06LS3 G, SP000451080
Technische datasheet
39.525 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering de volgende werkdag
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | € 1,250 |
| 10+ | € 0,933 |
| 100+ | € 0,710 |
| 500+ | € 0,561 |
| 1000+ | € 0,482 |
| 5000+ | € 0,447 |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
€ 1,25 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantBSZ067N06LS3GATMA1
Ordercode2212830
Ook bekend alsBSZ067N06LS3 G, SP000451080
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source On State Resistance0.0067ohm
Transistor Case StylePG-TSDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation69W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Productoverzicht
The BSZ067N06LS3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS). It can be used for a broad range of industrial applications including solar micro inverter and fast switching DC-to-DC converter.
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- Very low ON-resistance RDS (ON)
- Ideal for fast switching applications
- MSL1 rated
- Highest system efficiency
- Increased power density
- Very low voltage overshoot
- Optimized technology for DC-to-DC converters
- Normal level
- 100% Avalanche tested
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Halogen-free, Green device
Toepassingen
Power Management, Motor Drive & Control, Industrial, Consumer Electronics, Portable Devices, Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals
Waarschuwingen
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
20A
Transistor Case Style
PG-TSDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
69W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.0067ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 3 - 168 hours
Technische documenten (1)
Alternatieven voor BSZ067N06LS3GATMA1
2 gevonden producten
Aanverwante producten
1 product gevonden
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Philippines
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Philippines
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000097