Pagina afdrukken
FF200R17KE3HOSA1
IGBT Module, Dual [Half Bridge], 310 A, 2 V, 1.25 kW, 125 °C, Module
37 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering de volgende werkdag
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | € 138,130 |
| 5+ | € 131,470 |
| 10+ | € 124,810 |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
€ 138,13 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantFF200R17KE3HOSA1
Ordercode2726125
Productreeks62mm C
Ook bekend alsFF200R17KE3, SP000100775
Technische datasheet
IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
Transistor PolarityN Channel
DC Collector Current310A
Continuous Collector Current310A
Collector Emitter Saturation Voltage2V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2V
Power Dissipation Pd1.25kW
Power Dissipation1.25kW
Junction Temperature Tj Max125°C
Operating Temperature Max125°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationTab
Collector Emitter Voltage Max1.7kV
IGBT TechnologyIGBT 3 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product Range62mm C
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Productoverzicht
- 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT³ and Emitter Controlled³ diode
Waarschuwingen
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische specificaties
IGBT Configuration
Dual [Half Bridge]
DC Collector Current
310A
Collector Emitter Saturation Voltage
2V
Power Dissipation Pd
1.25kW
Junction Temperature Tj Max
125°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.7kV
IGBT Termination
Tab
IGBT Technology
IGBT 3 [Trench/Field Stop]
Product Range
62mm C
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Collector Current
310A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
2V
Power Dissipation
1.25kW
Operating Temperature Max
125°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.7kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische documenten (1)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Hungary
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Hungary
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000337
Producttraceerbaarheid