Pagina afdrukken
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantFS50R12W2T4B11BOMA1
Ordercode1833612
Ook bekend alsFS50R12W2T4_B11, SP000546148
Technische datasheet
Beschikbaar om te bestellen
Standaard levertijd fabrikant: 12 week(en)
Neem contact met mij op wanneer het product weer op voorraad is
Hoeveelheid | |
---|---|
1+ | € 54,500 |
5+ | € 50,960 |
10+ | € 47,410 |
50+ | € 45,570 |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
€ 54,50 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantFS50R12W2T4B11BOMA1
Ordercode1833612
Ook bekend alsFS50R12W2T4_B11, SP000546148
Technische datasheet
Transistor PolarityN Channel
IGBT ConfigurationSix Pack [Full Bridge]
Continuous Collector Current50A
DC Collector Current50A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
Power Dissipation335W
Power Dissipation Pd335W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature Tj Max150°C
Transistor Case StyleModule
No. of Pins18Pins
IGBT TerminationPress Fit
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4
Product Range-
SVHCNo SVHC (08-Jul-2021)
Productoverzicht
Waarschuwingen
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische specificaties
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Collector Current
50A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.85V
Power Dissipation
335W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Junction Temperature Tj Max
150°C
No. of Pins
18Pins
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Product Range
-
IGBT Configuration
Six Pack [Full Bridge]
DC Collector Current
50A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.85V
Power Dissipation Pd
335W
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Case Style
Module
IGBT Termination
Press Fit
IGBT Technology
IGBT 4
SVHC
No SVHC (08-Jul-2021)
Technische documenten (3)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Germany
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Germany
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (08-Jul-2021)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.039
Producttraceerbaarheid