Pagina afdrukken
IGB070S10S1XTMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 100 V, 38 A, 7000 µohm, 6.1 nC, TSON, Surface Mount
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantIGB070S10S1XTMA1
Ordercode4680813RL
Ook bekend alsIGB070S10S1, SP006039129
Technische datasheet
3.837 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel vóór 17:00
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van € 0,00 en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 100+ | € 1,480 |
| 500+ | € 1,240 |
| 1000+ | € 1,120 |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Meerdere: 1
€ 153,00 (excl. BTW)
Voor dit product wordt een re-reeling kost toegevoegd van € 5,00
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Technische specificaties
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
7000µohm
No. of Pins
4Pins
Continuous Drain Current Id
38A
Typical Gate Charge
6.1nC
Technische documenten (1)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.00001
Producttraceerbaarheid