Pagina afdrukken
IGC025S08S1XTMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 80 V, 86 A, 0.0025 ohm, 12 nC, TSON, Surface Mount
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantIGC025S08S1XTMA1
Ordercode4680816RL
Ook bekend alsIGC025S08S1, SP006027447
Technische datasheet
5.000 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering de volgende werkdag
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 100+ | € 2,390 |
| 500+ | € 2,000 |
| 1000+ | € 1,710 |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 150
Meerdere: 1
€ 358,50 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantIGC025S08S1XTMA1
Ordercode4680816RL
Ook bekend alsIGC025S08S1, SP006027447
Technische datasheet
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id86A
Drain Source On State Resistance0.0025ohm
Typical Gate Charge12nC
No. of Pins6Pins
Technische specificaties
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0025ohm
No. of Pins
6Pins
Continuous Drain Current Id
86A
Typical Gate Charge
12nC
Technische documenten (1)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.00001