Pagina afdrukken
IKW30N60H3FKSA1
IGBT, 30 A, 2.4 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantIKW30N60H3FKSA1
Ordercode1832342
Ook bekend alsIKW30N60H3, SP000703042
Technische datasheet
289 Op Voorraad
240 U kunt nu voorraad reserveren
Levering de volgende werkdag
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | € 3,260 |
| 10+ | € 2,380 |
| 100+ | € 1,800 |
| 500+ | € 1,390 |
| 1000+ | € 1,360 |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
€ 3,26 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantIKW30N60H3FKSA1
Ordercode1832342
Ook bekend alsIKW30N60H3, SP000703042
Technische datasheet
Continuous Collector Current30A
Collector Emitter Saturation Voltage2.4V
Power Dissipation187W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Productoverzicht
The IKW30N60H3 is a 600V Discrete IGBT with very soft, fast recovery anti-parallel diode designed specifically to replace planar MOSFETs in applications switching at frequencies below 70kHz. The key feature of this family is a MOSFET-like turn-off switching behaviour and thus leading to low turn off losses. Discrete IGBT is ideal for hard switching applications as well as soft switching applications and other resonant applications.
- Low switching losses for high efficiency
- Fast switching behaviour with low EMI emissions
- Low gate resistor selection possible (down to 5Ω) whilst maintaining excellent switching behaviour
- Short circuit capability
- Excellent performance
- Low switching and conduction losses
Toepassingen
Power Management, Alternative Energy
Waarschuwingen
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische specificaties
Continuous Collector Current
30A
Power Dissipation
187W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Collector Emitter Saturation Voltage
2.4V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
MSL
-
Technische documenten (3)
Alternatieven voor IKW30N60H3FKSA1
2 gevonden producten
Aanverwante producten
4 gevonden producten
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Philippines
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Philippines
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.00542
Producttraceerbaarheid