Pagina afdrukken
IMBG65R060M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 34.9 A, 650 V, 0.055 ohm, TO-263 (D2PAK)
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantIMBG65R060M2HXTMA1
Ordercode4640389
ProductreeksCoolSiC Gen 2 Series
Ook bekend alsIMBG65R060M2H, SP006051147
Technische datasheet
290 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering de volgende werkdag
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | € 6,090 |
| 10+ | € 5,120 |
| 100+ | € 4,140 |
| 500+ | € 3,680 |
| 1000+ | € 3,140 |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Meerdere: 1
€ 6,09 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantIMBG65R060M2HXTMA1
Ordercode4640389
ProductreeksCoolSiC Gen 2 Series
Ook bekend alsIMBG65R060M2H, SP006051147
Technische datasheet
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id34.9A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.055ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation148W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische specificaties
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
34.9A
Drain Source On State Resistance
0.055ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
148W
Product Range
CoolSiC Gen 2 Series
Technische documenten (1)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:N.n.b.
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.00001
Producttraceerbaarheid