Pagina afdrukken
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantIPD053N06NATMA1
Ordercode2480816
Ook bekend alsIPD053N06N, SP000962138
Technische datasheet
24.920 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering de volgende werkdag
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
Hoeveelheid | |
---|---|
1+ | € 0,591 |
10+ | € 0,570 |
100+ | € 0,548 |
500+ | € 0,516 |
1000+ | € 0,512 |
5000+ | € 0,485 |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Meerdere: 1
€ 0,59 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantIPD053N06NATMA1
Ordercode2480816
Ook bekend alsIPD053N06N, SP000962138
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id45A
Drain Source On State Resistance0.0045ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation83W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Productoverzicht
The IPD053N06N is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS). In addition these devices are a perfect choice for a broad range of industrial applications including solar micro inverter and fast switching DC-to-DC converter.
- Highest system efficiency
- Less paralleling required
- Increased power density
- Very low voltage overshoot
- MSL1 rated
- 40% lower RDS (ON) than alternative devices
- 40% Improvement of FOM over similar devices
- 100% Avalanche tested
- Superior thermal resistance
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Halogen-free, Green device
Toepassingen
Power Management, Motor Drive & Control, Industrial, Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals, Consumer Electronics, Portable Devices
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
45A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
83W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.0045ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technische documenten (1)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.00143
Producttraceerbaarheid