Pagina afdrukken
IPD053N08N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 90 A, 0.0053 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantIPD053N08N3GATMA1
Ordercode1775574
ProductreeksOptiMOS 3 Series
Ook bekend alsIPD053N08N3 G, SP001127818
Technische datasheet
17.364 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering de volgende werkdag
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | € 1,560 |
| 10+ | € 1,260 |
| 100+ | € 1,050 |
| 500+ | € 0,979 |
| 1000+ | € 0,956 |
| 5000+ | € 0,932 |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
€ 1,56 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantIPD053N08N3GATMA1
Ordercode1775574
ProductreeksOptiMOS 3 Series
Ook bekend alsIPD053N08N3 G, SP001127818
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id90A
Drain Source On State Resistance0.0053ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation150W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 3 Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Productoverzicht
The IPD053N08N3 G is a N-channel OptiMOS™ 3 Power Transistor with superior thermal resistance, excellent gate charge x R DS(ON) product (FOM) and superior thermal resistance. Optimized technology for DC/DC converters. Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification.
- Dual sided cooling
- Very low on resistance
- 100% Avalanche tested
- Low parasitic inductance
- Halogen-free
Toepassingen
Power Management, Consumer Electronics, Communications & Networking, Motor Drive & Control
Waarschuwingen
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
90A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0053ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS 3 Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technische documenten (1)
Alternatieven voor IPD053N08N3GATMA1
1 product gevonden
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.00042
Producttraceerbaarheid