Pagina afdrukken
IPD85P04P4L06ATMA1
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 85 A, 0.0053 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantIPD85P04P4L06ATMA1
Ordercode4384138
ProductreeksOptiMOS P2 Series
Technische datasheet
Productgegevens
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantIPD85P04P4L06ATMA1
Ordercode4384138
ProductreeksOptiMOS P2 Series
Technische datasheet
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id85A
Drain Source On State Resistance0.0053ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation88W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS P2 Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Alternatieven voor IPD85P04P4L06ATMA1
1 product gevonden
Technische specificaties
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
85A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
88W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0053ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS P2 Series
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000402
Producttraceerbaarheid