Pagina afdrukken
IPP034NE7N3GXKSA1
Power MOSFET, N Channel, 75 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-220, Through Hole
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantIPP034NE7N3GXKSA1
Ordercode2480847
Ook bekend alsIPP034NE7N3 G, SP000641724
Technische datasheet
129 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel vóór 17:00
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van € 0,00 en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | € 4,060 |
| 10+ | € 2,090 |
| 100+ | € 1,980 |
| 500+ | € 1,860 |
| 1000+ | € 1,450 |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
€ 4,06 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantIPP034NE7N3GXKSA1
Ordercode2480847
Ook bekend alsIPP034NE7N3 G, SP000641724
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds75V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance0.003ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.1V
Power Dissipation214W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
Productoverzicht
The IPP034NE7N3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS). In addition it can be used for a broad range of industrial applications including fast switching DC-to-DC converter.
- Very low ON-resistance RDS (ON)
- Ideal for fast switching applications
- MSL1 rated
- Highest system efficiency
- Increased power density
- Very low voltage overshoot
- Normal level
- 100% Avalanche tested
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Green device
Toepassingen
Power Management, Motor Drive & Control, Consumer Electronics, Computers & Computer Peripherals, Communications & Networking, Portable Devices, Industrial
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
214W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
75V
Drain Source On State Resistance
0.003ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technische documenten (3)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.002008
Producttraceerbaarheid