Pagina afdrukken
IRF9Z24NPBF
Power MOSFET, P Channel, 55 V, 12 A, 0.175 ohm, TO-220AB, Through Hole
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantIRF9Z24NPBF
Ordercode8648670
Ook bekend alsSP001555934
Technische datasheet
6.014 Op Voorraad
12.000 U kunt nu voorraad reserveren
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel vóór 17:00
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van € 0,00 en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | € 0,567 |
| 10+ | € 0,559 |
| 100+ | € 0,435 |
| 500+ | € 0,370 |
| 1000+ | € 0,327 |
| 5000+ | € 0,278 |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
€ 0,57 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantIRF9Z24NPBF
Ordercode8648670
Ook bekend alsSP001555934
Technische datasheet
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.175ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation45W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Productoverzicht
The IRF9Z24NPBF is a -55V single P-channel HEXFET® Power MOSFET, fifth generation HEXFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFET is well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.
- Advanced process technology
- Dynamic dV/dt rating
- Fully avalanche rated
- 175°C Operating temperature
Toepassingen
Power Management
Technische specificaties
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
45W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.175ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:South Korea
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:South Korea
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.00259
Producttraceerbaarheid