Pagina afdrukken
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantIRLR7843TRPBF
Ordercode2468059
Ook bekend alsSP001569090
Technische datasheet
1.261 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering de volgende werkdag
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
Hoeveelheid | |
---|---|
5+ | € 0,891 |
50+ | € 0,672 |
100+ | € 0,531 |
500+ | € 0,472 |
1000+ | € 0,470 |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Meerdere: 5
€ 4,46 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantIRLR7843TRPBF
Ordercode2468059
Ook bekend alsSP001569090
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id161A
Drain Source On State Resistance0.0033ohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.3V
Power Dissipation140W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Productoverzicht
The IRLR7843TRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers ultra-low gate impedance, fully characterized avalanche voltage and current. It is suitable for high frequency synchronous buck converters and high frequency isolated DC-to-DC converter with synchronous rectification.
- Very low static drain-to-source ON-resistance at 4.5V gate-to-source voltage
- Logic level
Toepassingen
Power Management, Computers & Computer Peripherals, Communications & Networking, Industrial
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
161A
Transistor Case Style
TO-252AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
140W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0033ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Technische documenten (1)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000702
Producttraceerbaarheid