Pagina afdrukken
SPD08P06PGBTMA1
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 8.83 A, 0.23 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantSPD08P06PGBTMA1
Ordercode2212864
Ook bekend alsSPD08P06P G, SP000450534
Technische datasheet
40.765 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering de volgende werkdag
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | € 0,619 |
| 10+ | € 0,493 |
| 100+ | € 0,373 |
| 500+ | € 0,290 |
| 1000+ | € 0,254 |
| 5000+ | € 0,234 |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
€ 0,62 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantSPD08P06PGBTMA1
Ordercode2212864
Ook bekend alsSPD08P06P G, SP000450534
Technische datasheet
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id8.83A
Drain Source On State Resistance0.23ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage6.2V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation42W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Productoverzicht
The SPD08P06P G is an OptiMOS™ P-channel Power MOSFET consistently meets the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as ON-state resistance and figure of merit characteristics.
- Enhancement-mode
- Avalanche rated
- Small signal packages approved to AEC Q101
- dV/dt Rated
- Qualified according to AEC-Q101
- Green device
Toepassingen
Power Management, Automotive, Consumer Electronics, Motor Drive & Control, Portable Devices, Communications & Networking
Waarschuwingen
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische specificaties
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
8.83A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
6.2V
Power Dissipation
42W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.23ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technische documenten (1)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.0003