Pagina afdrukken
IXFK88N30P
Power MOSFET, PolarFET, N Channel, 300 V, 88 A, 0.04 ohm, TO-264, Through Hole
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
Beschikbaar om te bestellen
Standaard levertijd fabrikant: 39 week(en)
Neem contact met mij op wanneer het product weer op voorraad is
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | € 13,920 |
| 5+ | € 12,920 |
| 10+ | € 11,920 |
| 50+ | € 10,920 |
| 100+ | € 9,920 |
| 250+ | € 8,920 |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
€ 13,92 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantIXYS SEMICONDUCTOR
Artikelnr. fabrikantIXFK88N30P
Ordercode1427317
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds300V
Continuous Drain Current Id88A
Drain Source On State Resistance0.04ohm
Transistor Case StyleTO-264
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation600W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Productoverzicht
The IXFK88N30P is a single N-channel enhancement-mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). It features low static drain-to-source ON-resistance and high power density. It is suitable for DC-to-DC converters, battery chargers, DC choppers, switch-mode and resonant-mode power supplies.
- International standard packages
- Avalanche rating
- Low Qg
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space saving
Toepassingen
Power Management, Motor Drive & Control
Waarschuwingen
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
88A
Transistor Case Style
TO-264
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
600W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Drain Source Voltage Vds
300V
Drain Source On State Resistance
0.04ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Germany
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Germany
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.01
Producttraceerbaarheid