Pagina afdrukken
IXFN360N10T
MOSFET Transistor, GigaMOS™, N Channel, 360 A, 100 V, 0.0026 ohm, 100 V, 4.5 V, SOT-227B
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
FabrikantIXYS SEMICONDUCTOR
Artikelnr. fabrikantIXFN360N10T
Ordercode2784061
ProductreeksTrench HiperFET
Technische datasheet
390 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering de volgende werkdag
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | € 25,990 |
| 5+ | € 22,500 |
| 10+ | € 19,010 |
| 50+ | € 18,530 |
| 100+ | € 18,040 |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
€ 25,99 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantIXYS SEMICONDUCTOR
Artikelnr. fabrikantIXFN360N10T
Ordercode2784061
ProductreeksTrench HiperFET
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id360A
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source On State Resistance0.0026ohm
On Resistance Rds(on)0.0026ohm
Rds(on) Test Voltage100V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation830W
Power Dissipation Pd830W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrench HiperFET
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Productoverzicht
Toepassingen
Medical
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
360A
Drain Source On State Resistance
0.0026ohm
Rds(on) Test Voltage
100V
Power Dissipation
830W
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0026ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation Pd
830W
Product Range
Trench HiperFET
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:United States
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:United States
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Y-Ex
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.03