Pagina afdrukken
IXTN210P10T
MOSFET Transistor, P Channel, 210 A, 100 V, 0.0075 ohm, 10 V, 4.5 V, SOT-227B
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
FabrikantIXYS SEMICONDUCTOR
Artikelnr. fabrikantIXTN210P10T
Ordercode3438414
ProductreeksTrenchP
Technische datasheet
78 Op Voorraad
460 U kunt nu voorraad reserveren
Levering de volgende werkdag
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | € 45,890 |
| 5+ | € 42,260 |
| 10+ | € 38,630 |
| 50+ | € 35,000 |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
€ 45,89 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantIXYS SEMICONDUCTOR
Artikelnr. fabrikantIXTN210P10T
Ordercode3438414
ProductreeksTrenchP
Technische datasheet
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Continuous Drain Current Id210A
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source On State Resistance0.0075ohm
On Resistance Rds(on)0.0075ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation830W
Power Dissipation Pd830W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchP
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Productoverzicht
IXTN210P10T is a TrenchP™ power MOSFET. Suitable for high-side switching, push pull amplifiers, DC choppers, automatic test equipment, current regulators and battery charger applications.
- P-channel enhancement mode
- Avalanche rated and fast intrinsic rectifier
- International standard package
- Low intrinsic gate resistance
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Extended FBSOA and low RDS(ON) and QG
- Easy to mount, space savings and high power density
- 210A continuous drain current Id
- 100V drain source voltage Vds, 10V Rds(on) test voltage, 4.5V max gate source threshold voltage
- 0.0075ohm drain source on state resistance
Technische specificaties
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
210A
Drain Source On State Resistance
0.0075ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
830W
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0075ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation Pd
830W
Product Range
TrenchP
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:South Korea
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:South Korea
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.004
Producttraceerbaarheid