Pagina afdrukken
IXGN200N170
IGBT Module, Single, 280 A, 2.1 V, 1.25 kW, 150 °C, SOT-227B
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
112 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel vóór 17:00
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van € 0,00 en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | € 58,270 |
| 5+ | € 55,850 |
| 10+ | € 53,420 |
| 50+ | € 51,000 |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
€ 58,27 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantLITTELFUSE
Artikelnr. fabrikantIXGN200N170
Ordercode3930412
Technische datasheet
IGBT ConfigurationSingle
Continuous Collector Current280A
DC Collector Current280A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2.1V
Collector Emitter Saturation Voltage2.1V
Power Dissipation1.25kW
Power Dissipation Pd1.25kW
Junction Temperature Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleSOT-227B
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
Collector Emitter Voltage Max1.7kV
IGBT Technology-
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Productoverzicht
High voltage IGBT suitable for use in power inverters, UPS, motor drives, SMPS, PFC circuits and welding machines.
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Isolation voltage 2500V
- High current handling capability
- High power density
- Low gate drive requirement
Technische specificaties
IGBT Configuration
Single
DC Collector Current
280A
Collector Emitter Saturation Voltage
2.1V
Power Dissipation Pd
1.25kW
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.7kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
Continuous Collector Current
280A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
2.1V
Power Dissipation
1.25kW
Junction Temperature Tj Max
150°C
Transistor Case Style
SOT-227B
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.7kV
IGBT Technology
-
Product Range
-
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:South Korea
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:South Korea
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000001
Producttraceerbaarheid