Pagina afdrukken
LP0701N3-G
Power MOSFET, P Channel, 16.5 V, 500 mA, 1.5 ohm, TO-92, Through Hole
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
426 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel vóór 17:00
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van € 0,00 en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | € 1,700 |
| 25+ | € 1,200 |
| 100+ | € 1,170 |
| 1000+ | € 1,160 |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
€ 1,70 (excl. BTW)
Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantMICROCHIP
Artikelnr. fabrikantLP0701N3-G
Ordercode2851547
Technische datasheet
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds16.5V
Continuous Drain Current Id500mA
Drain Source On State Resistance1.5ohm
Transistor Case StyleTO-92
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage5V
Gate Source Threshold Voltage Max700mV
Power Dissipation1W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Productoverzicht
This enhancement-mode (normally-off) transistor utilises a lateral MOS structure and Supertex’s well-proven silicongate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistor and with the high input impedance and negative temperature coefficient inherent in MOS devices.
- Suitable for logic level interfaces, solid state relays, battery operated systems, photo voltaic drives, analogue switches etc.
- Ultra-low threshold
- High input impedance
- Low input capacitance
- Fast switching speeds
- Low on-resistance
- Freedom from secondary breakdown
- Low input and output leakage
Technische specificaties
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
500mA
Transistor Case Style
TO-92
Rds(on) Test Voltage
5V
Power Dissipation
1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
16.5V
Drain Source On State Resistance
1.5ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
700mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Thailand
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Thailand
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.0002