Pagina afdrukken
MT53E512M32D1ZW-046 IT:B
DRAM, LPDDR4, 16 Gbit, 512M x 32bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pins
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
1.520 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering de volgende werkdag
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | € 15,490 |
| 10+ | € 14,360 |
| 25+ | € 13,910 |
| 50+ | € 13,570 |
| 100+ | € 13,170 |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
€ 15,49 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantMICRON
Artikelnr. fabrikantMT53E512M32D1ZW-046 IT:B
Ordercode3954471
Technische datasheet
DRAM TypeMobile LPDDR4
Memory Density16Gbit
Memory Configuration512M x 32bit
Clock Frequency Max2.133GHz
IC Case / PackageTFBGA
No. of Pins200Pins
Supply Voltage Nom1.1V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max95°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Productoverzicht
MT53E512M32D1 is a 16Gb mobile low-power DDR4 SDRAM with low VDDQ (LPDDR4X) high-speed, CMOS dynamic random-access memory device. This device is internally configured with 2 channels or 1 channel ×16 I/O, each channel having 8-banks.
- 16n prefetch DDR architecture, 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry, bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL), programmable VSS (ODT) termination
- Directed per-bank refresh for concurrent bank operation and ease of command scheduling
- On-chip temperature sensor to control self refresh rate, partial-array self refresh (PASR)
- Selectable output drive strength (DS), clock-stop capability, single-ended CK and DQS support
- 1.10V VDD2 / 0.60V VDDQ or 1.10V VDDQ operating voltage
- 512 Meg x 32 configuration, LPDDR4, 1 die addressing
- 200-ball TFBGA (Ø0.40 SMD) package, 468ps cycle time
- Operating temperature rating range from -40°C to +95°C
Technische specificaties
DRAM Type
Mobile LPDDR4
Memory Configuration
512M x 32bit
IC Case / Package
TFBGA
Supply Voltage Nom
1.1V
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
Memory Density
16Gbit
Clock Frequency Max
2.133GHz
No. of Pins
200Pins
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
95°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Technische documenten (1)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Taiwan
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Taiwan
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000001