Pagina afdrukken
MT53E768M32D2ZW-046 AUT:C
DRAM, Mobile LPDDR4, 24 Gbit, 768M x 32bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pins
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
90 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering de volgende werkdag
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | € 47,050 |
| 5+ | € 43,470 |
| 10+ | € 38,960 |
| 25+ | € 36,330 |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
€ 47,05 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantMICRON
Artikelnr. fabrikantMT53E768M32D2ZW-046 AUT:C
Ordercode4263251
Technische datasheet
DRAM TypeMobile LPDDR4
Memory Density24Gbit
Memory Configuration768M x 32bit
Clock Frequency Max2.133GHz
IC Case / PackageTFBGA
No. of Pins200Pins
Supply Voltage Nom1.1V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max125°C
Product Range-
Productoverzicht
MT53E768M32D2ZW-046 AUT:C is a mobile LPDDR4 SDRAM. The 12Gb mobile low-power DDR4 SDRAM with low VDDQ (LPDDR4X) is a high-speed, CMOS dynamic random-access memory device. This device is internally configured with 1 channel ×16 I/O, having 8-banks.
- 16n prefetch DDR architecture, 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry, bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL), programmable and on-the-fly burst lengths (BL=16, 32)
- Directed per-bank refresh for concurrent bank operation and ease of command scheduling
- On-chip temperature sensor to control self refresh rate, partial-array self refresh (PASR)
- Selectable output drive strength (DS), clock-stop capability, AEC-Q100 automotive grade
- Programmable VSS (ODT) termination, single-ended CK and DQS support
- Operating voltage is 1.10V VDD2/0.60V VDDQ or 1.10V VDDQ, 468ps cycle time
- 3GB (24Gb) total density, 4266Mb/s data rate per pin
- Operating temperature range from -40°C to +125°C, 200-ball TFBGA package
Technische specificaties
DRAM Type
Mobile LPDDR4
Memory Configuration
768M x 32bit
IC Case / Package
TFBGA
Supply Voltage Nom
1.1V
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Memory Density
24Gbit
Clock Frequency Max
2.133GHz
No. of Pins
200Pins
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
125°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
Technische documenten (1)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Singapore
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Singapore
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85423290
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000001